TSMC Global R&D център стартира

Глобалният център за научноизследователска и развойна дейност на TSMC беше открит днес и беше поканен Морис Чанг, основателят на събитието на TSMC за първи път след пенсионирането си.По време на речта си той изрази специална благодарност на персонала за научноизследователска и развойна дейност на TSMC за техните усилия, превръщайки технологията на TSMC във водеща и дори превръщайки се в глобално бойно поле.

От официалното прессъобщение на TSMC се разбира, че центърът за научноизследователска и развойна дейност ще се превърне в новия дом на институциите за научноизследователска и развойна дейност на TSMC, включително изследователи, които разработват TSMC 2 nm и по-висока технология, както и учени и учени, които извършват проучвателни изследвания в нови материали, транзисторни структури и други области.Тъй като персоналът за научноизследователска и развойна дейност се премести на работното място в новата сграда, компанията ще бъде напълно подготвена за над 7000 служители до септември 2023 г.
Центърът за научноизследователска и развойна дейност на TSMC обхваща обща площ от 300 000 квадратни метра и разполага с приблизително 42 стандартни футболни игрища.Той е проектиран като зелена сграда с растителни стени, басейни за събиране на дъждовна вода, прозорци, които максимизират използването на естествената светлина, и слънчеви панели на покрива, които могат да генерират 287 киловата електричество при пикови условия, демонстрирайки ангажимента на TSMC към устойчивото развитие.
Председателят на TSMC Liu Deyin заяви на церемонията по стартирането, че навлизането в центъра за научноизследователска и развойна дейност сега ще развива активно технологии, които водят световната полупроводникова индустрия, изследвайки технологии до 2 нанометра или дори 1,4 нанометра.Той заяви, че центърът за научноизследователска и развойна дейност е започнал да планира преди повече от 5 години, с много умни идеи в дизайна и строителството, включително свръхвисоки покриви и пластмасово работно пространство.
Liu Deyin подчерта, че най-важният аспект на R&D центъра не са великолепните сгради, а R&D традицията на TSMC.Той заяви, че екипът за научноизследователска и развойна дейност е разработил 90nm технология, когато е влязъл във фабриката за Wafer 12 през 2003 г. и след това е влязъл в R&D центъра, за да разработи 2nm технология 20 години по-късно, което е 1/45 от 90nm, което означава, че трябва да останат в R&D центъра за поне 20 години.
Liu Deyin каза, че персоналът за научноизследователска и развойна дейност в центъра за научноизследователска и развойна дейност ще даде отговори на размера на полупроводниковите компоненти след 20 години, какви материали да се използват, как да се интегрират светлина и електрогенна киселина и как да се споделят квантови цифрови операции и да разберете методите за масово производство.